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Colloque
Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
