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Colloque
Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
Colloque
Pour la première fois des cellules solaires d'environ 1cm² de surface ont été réalisées à partir de couches de GaAs épitaxiales sur substrat de GaAs en utilisant le TRCD. La structure active des cellules fait appel à une homogénéité p/n obtenue par diffusion de Zinc dans une couche épitaxiale de type n. Les rendements des conversions obtenus sont supérieurs à 30 mWcm⁻² variant de 5 à 10% avec des valeurs pour le facteur de remplissage supérieures à 70%. Ces résultats préliminaires ont été mesurés sur des dispositifs sans fenêtre de GaAlSb (réduction de la vitesse de recombinaison en surface des …
