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Colloque
La photoluminescence est une technique puissante pour sonder la structure de bande des semiconducteurs. Elle permet aussi d'étudier les impuretés de ces mêmes matériaux, et ce, même lorsqu'elles sont présentes à de très faibles concentrations. Dans le cas des semiconducteurs III-V, un champ magnétique intense permet de séparer suffisamment les niveaux de Landau pour permettre l'étude de la non-parabolicité de la bande de conduction. Le champ magnétique permet aussi de séparer les différentes composantes Zeeman d'une raie d'impureté permettant ainsi d'en identifier sa nature chimique. Nous expliquerons ici le principe de fonctionnement d'un système utilisant une fibre optique qui permet …
Colloque
Les alliages GaInAs déposés sur un substrat de InP présentent un intérêt technologique important pour les télécommunications par fibre optique. Nous présentons ici une étude de magnéto-optique au niveau de la bande interdite pour une couche de Ga.53In.47As épitaxie sur un substrat de InP. Des mesures de transmission, de photocourant et de photovoltage réalisées à 4.2 K dans un champ magnétique atteignant 14 teslas ont été effectuées. Les résultats obtenus donnent accès à la masse effective réduite des porteurs de la bande de conduction et de la bande de valence, à l'énergie de la bande interdite à champ nul ainsi …
Colloque
Les techniques de photoconductivité et de photoluminescence ont été utilisées pour caractériser des couches épitaxiées de GaAs sur des substrats de Si. Ces couches ont été réalisées par la technique d'épitaxie par jets moléculaire. La présente étude a permis d'obtenir plusieurs informations sur la contrainte biaxiale, présente dans la couche de GaAs, causée par la différence des constantes de maille des deux matériaux. Les deux techniques expérimentales utilisées mettent en évidence la levée de dégénérescence des bandes de valence trous-lourds et trous-légers du GaAs sous l'effet de la contrainte biaxiale. En variant la température de 2K à 300K, on montre …
Colloque
Les techniques de photoconductivité et de photoluminescence ont été utilisées pour caractériser des couches épitaxiées de GaAs sur des substrats de Si. Ces couches ont été réalisées par la technique d'épitaxie par jets moléculaire. La présente étude a permis d'obtenir plusieurs informations sur la contrainte biaxiale, présente dans la couche de GaAs, causée par la différence des constantes de maille des deux matériaux. Les deux techniques expérimentales utilisées mettent en évidence la levée de dégénérescence des bandes de valence trous-lourds et trous-légers du GaAs sous l'effet de la contrainte biaxiale. En variant la température de 2K à 300K, on montre …
Colloque
Les techniques de photoconductivité et de photoluminescence ont été utilisées pour caractériser des couches épitaxiées de GaAs sur des substrats de Si. Ces couches ont été réalisées par la technique d'épitaxie par jets moléculaire. La présente étude a permis d'obtenir plusieurs informations sur la contrainte biaxiale, présente dans la couche de GaAs, causée par la différence des constantes de maille des deux matériaux. Les deux techniques expérimentales utilisées mettent en évidence la levée de dégénérescence des bandes de valence trous-lourds et trous-légers du GaAs sous l'effet de la contrainte biaxiale. En variant la température de 2K à 300K, on montre …
Colloque
Le composé GaSe est un semiconducteur à structure en couches possédant un gap d'environ 2 eV. Les propriétés optiques de ce matériau soulèvent un intérêt particulier dû à la présence d'excitons sous la bande de conduction. Plusieurs phénomènes non-linéaires tels que la bistabilité optique et la présence d'émission stimulée sont directement reliés à la présence d'excitons dans GaSe. Notre étude a donc pour but d'établir la nature, directe ou indirecte, de même que les positions énergétiques de ces excitons. La thermoréflexivité est une technique qui s'avère très sensible au voisinage des transitions excitoniques. Cette grande sensibilité provient du fait que …
Colloque
Le composé GaSe est un semiconducteur à structure en couches possédant un gap d'environ 2 eV. Les propriétés optiques de ce matériau soulèvent un intérêt particulier dû à la présence d'excitons sous la bande de conduction. Plusieurs phénomènes non-linéaires tels que la bistabilité optique et la présence d'émission stimulée sont directement reliés à la présence d'excitons dans GaSe. Notre étude a donc pour but d'établir la nature, directe ou indirecte, de même que les positions énergétiques de ces excitons. La thermoréflexivité est une technique qui s'avère très sensible au voisinage des transitions excitoniques. Cette grande sensibilité provient du fait que …
Colloque
L'étude des propriétés ferroélectriques, par le biais des sondes locales que sont la luminescence et l'absorption infrarouge des impuretés contenues dans les cristaux, est d'un grand intérêt puisqu'elle permet d'obtenir des renseignements sur les champs locaux ainsi que leur évolution avec la transition de phase. Les spectres de luminescence consistent en une transition électronique pure à 1460 cm-1 suivie de répliques phononiques s'étalant de 14520 à 13000 cm-1. La transition électronique pure montre une structure fine (dont le nombre de répliques est réduit, selon nous, à une levée de dégénérescence, par le champ cristallin, du niveau excité (J=3). En absorption …
Colloque
Les composés GaSe et InSe sont des semiconducteurs quasi-bidimensionnels. D'après leurs propriétés optiques, ils possèdent une structure de bandes identique. La luminescence de ces composés regroupe plusieurs phénomènes. La recombinaison d'excitons libres ou liés, de donneurs et d'accepteurs et la présence d'une émission stimulée sont les principaux centres de luminescence. Avec une technique de laser pulsé nous discutons de l'évolution des spectres d'émission en fonction des paramètres: température, intensité et polarisation. Nous discutons également des temps de vie des niveaux électroniques de façon à proposer des modèles sur les mécanismes de recombinaisons radiatives.
