Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Les alliages GaInAs déposés sur un substrat de InP présentent un intérêt technologique important pour les télécommunications par fibre optique. Nous présentons ici une étude de magnéto-optique au niveau de la bande interdite pour une couche de Ga.53In.47As épitaxie sur un substrat de InP. Des mesures de transmission, de photocourant et de photovoltage réalisées à 4.2 K dans un champ magnétique atteignant 14 teslas ont été effectuées. Les résultats obtenus donnent accès à la masse effective réduite des porteurs de la bande de conduction et de la bande de valence, à l'énergie de la bande interdite à champ nul ainsi …
