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Colloque
Les progrès récents accomplis dans les techniques de croissance épitaxiale ont permis la réalisation de lasers à hétérostructures à couche active contrainte. Cela a conduit à un abaissement significatif du courant de seuil de ces dispositifs. Une connaissance précise de la masse effective (m*) des porteurs, de l'énergie des niveaux quantiques et de leur variation avec la contrainte et la composition des couches est nécessaire pour optimiser les performances de ces lasers. Nous avons utilisé la technique de résonance cyclotron pour déterminer m* dans des structures à simple puits quantique de type n et de type p présentant différents niveaux …
Colloque
Les alliages GaInAs déposés sur un substrat de InP présentent un intérêt technologique important pour les télécommunications par fibre optique. Nous présentons ici une étude de magnéto-optique au niveau de la bande interdite pour une couche de Ga.53In.47As épitaxie sur un substrat de InP. Des mesures de transmission, de photocourant et de photovoltage réalisées à 4.2 K dans un champ magnétique atteignant 14 teslas ont été effectuées. Les résultats obtenus donnent accès à la masse effective réduite des porteurs de la bande de conduction et de la bande de valence, à l'énergie de la bande interdite à champ nul ainsi …
Colloque
Le matériau GaInAs épitaxié sur InP possède un important potentiel d'application en optoélectronique et en microélectronique. Nous avons effectué des mesures de résonance cyclotron et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70,5μm≤λ≤531μm) et sous champ magnétique (B≤15T) sur des échantillons de haute qualité (μ=70000 cm²/Vs à 77K), produits par la méthode de croissance MOVCD. Plusieurs nouveaux pics de photoconductivité ont pu être mis en évidence, ce qui donne accès à des renseignements originaux concernant le niveau d'impuretés dans ce matériau. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la masse effective électronique. Les résultats sont analysés et …
