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Colloque
Des contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs ont été élaborés et utilisés pour des mesures de DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) sur des couches épitaxiales de GaAs de type n, obtenues par la technique du Transport Réactif à Courte Distance (TRCD). Les hauteurs de barrière déduites des caractéristiques I(V) et C(V) à température ambiante sont respectives à 0.86 V et les facteurs d'idéalité des diodes sont inférieurs à 1.1. Deux pièges à électrons EL2 et ELC1 ont été détectés. Leurs énergies d'activation apparentes et leurs sections efficaces de capture sont respectivement de 0.82 eV, 2.1x10^-13 cm² et 0.78 eV, 1.9x10^-13 …
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Des contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs ont été élaborés et utilisés pour des mesures de DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) sur des couches épitaxiales de GaAs de type n, obtenues par la technique du Transport Réactif à Courte Distance (TRCD). Les hauteurs de barrière déduites des caractéristiques I(V) et C(V) à température ambiante sont respectives à 0.86 V et les facteurs d'idéalité des diodes sont inférieurs à 1.1. Deux pièges à électrons EL2 et ELC1 ont été détectés. Leurs énergies d'activation apparentes et leurs sections efficaces de capture sont respectivement de 0.82 eV, 2.1x10^-13 cm² et 0.78 eV, 1.9x10^-13 …
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Des contacts Schottky du type Al/Pd-(n) GaAs ont été élaborés et utilisés pour des mesures de DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) sur des couches épitaxiales de GaAs de type n, obtenues par la technique du Transport Réactif à Courte Distance (TRCD). Les hauteurs de barrière déduites des caractéristiques I(V) et C(V) à température ambiante sont respectives à 0.86 V et les facteurs d'idéalité des diodes sont inférieurs à 1.1. Deux pièges à électrons EL2 et ELC1 ont été détectés. Leurs énergies d'activation apparentes et leurs sections efficaces de capture sont respectivement de 0.82 eV, 2.1x10^-13 cm² et 0.78 eV, 1.9x10^-13 …
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