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L’étude et le développement de dispositifs de génération et de détection de radiation terahertz est d’une très grande actualité. L'intérêt de ce type de radiation est lié aux nombreuses applications qui en découlent, aussi bien en sciences fondamentales qu'en sciences appliquées. Dans le secteur biomédical, par exemple, l’imagerie terahertz est l’une des applications les plus prometteuses pour révéler des détails associés à l'absorption des molécules polaires. En physique et en chimie, ce type de radiation permet d'étudier la dynamique de certains phénomènes ultrarapides, dans la gamme de l’infrarouge lointain (centaines de µm) ou dans la région des faibles énergies (quelques …
Les améliorations récentes au niveau des sources laser à impulsions ultracourtes et des dispositifs photoniques utilisés comme émetteurs et détecteurs de rayonnement terahertz permettent d'entrevoir le développement de nouveaux outils de diagnostic dans le domaine du biomédical et du contrôle de qualité en industrie. La physique des émetteurs et des détecteurs terahertz, fabriqués à partir d'une technologie de semi-conducteurs III-V, sera brièvement revue. Quelques astuces expérimentales mises de l'avant afin d'améliorer les performances de ces dispositifs seront discutées. Nous décrirons les techniques expérimentales utilisées pour caractériser ces dispositifs et présenterons quelques exemples d'applications des techniques d'imagerie et de spectroscopie terahertz.
Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …
La complexité des systèmes de télécommunications par fibre optique évolue rapidement de façon à offrir plus de bande passante. Comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique, l'intégration de composants photoniques avancés est requise pour la production de composants de haute qualité aux fonctions multiples. L'interdiffusion de puits quantiques "Quantum well intermixing" (QWI) est une technique riche en potentiel de retombées industrielles. Il est possible de contrôler les propriétés des hétérostructures de matériaux III-V après croissance épitaxiale, dans le but de fabriquer des composants photoniques intégrés. Il est également envisageable d'exploiter cette technologie dans le but de réaliser …
Les techniques de croissance épitaxiale telle que la croissance par pyrolyse d'organométalliques en phase vapeur (MOCVD) a permis de confiner les électrons dans un puits quantique. Cette technique augmente l'efficacité d'une diode laser. En effet, l'absorption est plus faible dans une diode laser ayant un puits quantique, car les porteurs sont confinés en 2D. En limitant le mouvement des électrons dans le puits quantique dans une seule direction (1D) sous forme de fils quantiques, il est théoriquement possible d'augmenter significativement l'efficacité des dispositifs. La présente étude consiste à étudier la fabrication de fils quantiques en utilisant la méthode d'interdiffusion de …
Le domaine de la photonique est actuellement en pleine expansion. En effet, de nombreux travaux de recherche sont déployés dans le but de mettre en œuvre des méthodes de fabrication de composants photoniques intégrés. L'intégration monolithique de composants photoniques est indispensable pour permettre l'évolution de la capacité et par conséquent de la complexité de nombreux systèmes optiques, tout comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique pour la fabrication de microprocesseurs. La méthode de fabrication de circuits intégrés photoniques à base d'hétérostructures sur substrats d'InP utilisés pour nos travaux est basée sur l'utilisation d'un implanteur ionique industriel pour …
L'évolution des systèmes de télécommunication photoniques actuels est possible en grande partie grâce aux efforts de recherche entrepris dans le domaine des diodes lasers. Les développements de la physique des semi-conducteurs pour la fabrication d'hétérostructures à puits quantiques ont permis de créer des lasers possédant des caractéristiques uniques. Dans cet exposé, la modification des propriétés d'hétérostructures fonctionnant à des longueurs d'onde de 1,55 µm laser pour l'intégration photonique est étudiée. Le procédé utilisé est basé sur l'irradiation d'hétérostructures à l'aide d'un laser de type YAG, 1.006 µm avec une puissance de l'ordre de 6W/cm2 pour un temps variable afin d'activer …
L'étude des propriétés optiques des nanostructures s'avère nécessaire non seulement pour optimiser les paramètres de fabrication, mais aussi pour développer de nouvelles applications (lasers, photodétecteurs…). Nous avons mesuré l'intensité de la photoluminescence (PL) émise par des boîtes quantiques d'InAs/GaAs sous excitation continue ou pulsée. Nos résultats montrent que l'intensité de la PL est constante dans un large domaine de température. De plus, le fait d'inter-diffuser des boîtes (pour modifier leurs propriétés structurales) modifie les propriétés optiques, mais n'altère pas de façon significative l'intensité de la PL. D'autre part, des mesures de PL résolues dans le temps permettent de déterminer le …
Le domaine de la photonique est actuellement en pleine expansion. En effet, de nombreux travaux de recherche sont déployés dans le but de mettre en œuvre des méthodes de fabrication de composants photoniques intégrés. L'intégration monolithique de composants photoniques est indispensable pour permettre l'évolution de la capacité et par conséquent de la complexité de nombreux systèmes optiques, tout comme ce fut le cas pour l'industrie de la microélectronique pour la fabrication de microprocesseurs. La méthode de fabrication de circuits intégrés photoniques à base d'hétérostructures sur substrats d'InP utilisés pour nos travaux est basée sur l'utilisation d'un implanteur ionique industriel pour …
La technique de lithographie par faisceau d'électrons a été utilisée pour fabriquer des motifs de taille submicromique permettant de mettre en évidence les effets de quantification de la conductance caractéristique d’un système électronique unidimensionnel (1D). La quantification 1D est obtenue par confinement électrostatique d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2D) présent dans une hétérostructure GaAs-GaAlAs de haute mobilité à l’aide de grilles métalliques de forme adéquate déposées en surface de la structure. Un potentiel de l’ordre de -1 V appliqué sur ces grilles permet de découpler le gaz 2D dans les régions sous-jacentes à celles-ci, en ne laissant comme passage accessible aux …