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Les isolants topologiques sont des matériaux au centre d'un intense effort de recherche dû à leur applications potentielles en électronique (calcul quantique robuste aux erreurs, transistors de spin) et aussi parce qu'ils recèlent de nouvelles phases de la matière (fermions de majonara, états de surfaces topologiques). L'étude du transport électronique dans ces isolants est compliquée par des défauts cristallins qui les rendent partiellement conducteur et l'oxydation de leurs surfaces qui crée de mauvais contacts électriques avec des électrodes métalliques. Nous présentons nos méthodes pour produire des cristaux de Bi2Se3 d'une épaisseur de < 20 nm avec de bons contacts électriques. …