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Réduction des contraintes mécaniques dans les couches minces de tungstène pour la lithographie par rayons X
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Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …

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Dynamique des ions Néonédiés dans un laser X
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Nous avons étudié la dynamique des ions néonédiés d’un plasma de lasage de germanium en utilisant la technique d’imagerie monochromatique résolue dans le temps. Les expériences ont été effectuées avec le laser LP2 du NRC à Ottawa, qui opère avec une longueur d’onde de 1.06 µm, avec des impulsions de 1.5 ns et un temps de montée rapide (200 ps). Un plasma ligne de 12 mm a été obtenu avec deux systèmes de focalisation différents. Nous avons utilisé un système de recouvrement de faisceaux pour enfin obtenir une image plus uniforme. Les expériences ont été effectuées à une irradiation de …

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Interaction entre une impulsion laser ultra-courte et une cible solide
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L'interaction entre une impulsion laser ultra-courte et une cible solide produit un plasma très fortement ionisé ayant une densité proche de celle du solide. Lors de la relaxation de ce plasma, une situation très éloignée de l'équilibre apparaît dans laquelle le milieu est surionisé, le plasma refroidissant très rapidement. Cette situation est propice à une inversion de population et un lasage dans la gamme des rayons X. Nous avons utilisé le laser ITW de l'Université du Michigan pour produire et étudier de tels plasmas. Le laser, qui délivre une impulsion de 400 fs (à 1 μm et 0.5 μm), est …

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Développement du premier laser térawatt Canadien
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L'interaction entre une impulsion laser ultra-courte et une cible solide produit un plasma très fortement ionisé ayant une densité proche de celle d'un solide. L'outil indispensable dans ce nouveau domaine de recherche est le laser CPA (chirped pulse amplification). L'amplification par étalement spectral (CPA) est le seul moyen d'obtenir une impulsion ultra-brève (400 fs) ayant la puissance voulue (> 1012 W), et le contraste nécessaire (10-6:1) à la formation de plasmas solides. Des autocorrélateurs 2e et 3e ordre permettent de caractériser l'impulsion laser (durée et contraste). Nous allons présenter d'une part les caractéristiques de ce nouveau type de laser ainsi …

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Membranes de carbure de silicium produites par ablation laser pour les masques de lithographie à rayons-X
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La technique de l'ablation laser est de plus en plus utilisée pour la fabrication de films minces de haute qualité. Contrairement aux autres méthodes de dépôt utilisées pour la fabrication de membranes pour masques X (PECVD, CVD), l'ablation laser s'effectue à basse température et produit des films non hydrogénés. Nous avons réussi à produire des membranes de SiC de 2.5 cm de diamètre en irradiant une cible de ce matériau à l'aide d'un laser KrF (λ = 249 nm). La variation du taux de dépôt, l'uniformité et la qualité des films produits en fonction des paramètres du laser sont présentés …

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Caractérisation des membranes de carbure de Si-Ticium pour les masques de la lithographie à rayons-X
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Dans le cadre du développement de la lithographie à rayons-X, nous avons développé, à l'INRS Énergie, des masques en vue de cette application en utilisant le procédé PECVD. Étant données ses propriétés mécaniques et optiques, le SiC est un très bon candidat comme matériau pour les membranes à rayons-X. Nous nous intéressons plus particulièrement à l'étude de recuit thermique rapide (RTA) ainsi qu'à l'influence de ces paramètres de fabrication sur les propriétés du carbure de silicium. Les méthodes de caractérisation employées sont entre autres la spectroscopie photoélectron par rayons-X (XPS) ainsi que la spectroscopie infrarouge (FTIR).

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Étude des déformations des masques sous irradiation X en lithographie-X
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Un des problèmes importants dans la lithographie-X est l'étude des déformations des masques sous irradiation X. Dans ce travail, nous allons présenter un code de simulation qui permet l'optimisation des conditions d'irradiations et des matériaux qui composent le masque-X. La simulation du stress thermique induit dans le masque est réalisée à l'aide du code NISA, qui utilise la méthode d'analyse par éléments finis. Les simulations comportent deux parties, une thermique et l'autre statique. Nous nous intéresserons plus particulièrement à l'irradiation d'un masque formé par une membrane en SiC et un absorbant de tungstène dans le cas où la source X …

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Réalisation et optimisation du premier laser X canadien: contrôle des inhomogénéités du milieu de lasage
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On présente les résultats expérimentaux du premier laser X canadien, opérant à des longueurs d'onde voisines de 200 . Nous décrivons un nouveau diagnostic quantitatif permettant de résoudre simultanément, spatialement (2D) et temporellement des spectres d'un plasma ligne produit par laser. Ce diagnostic est utilisé pour étudier l'influence des inhomogénéités sur le gain. Les expériences sont réalisées avec le laser LP2 (1 µm, 150 J, 1 ns) du CNR à Ottawa. Un nouveau système de focalisation (recouvrement de faisceaux) a été développé pour améliorer les conditions d'irradiation. Nous démontrons l'importance de l'homogénéité d'éclairement sur la dynamique de recombinaison d'un plasma …

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Développement de membranes de carbure de silicium pour les masques de la lithographie à rayons X
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Dans le cadre du développement de lithographie par rayons X, nous avons entrepris de développer, à l'INRS-Énergie des masques en vue de cette application. Étant donné ses propriétés mécaniques et optiques, le carbure de silicium est un très bon candidat comme matériau pour les membranes de masques à rayons X. Les couches minces de SiC sont obtenues en utilisant le procédé PECVD. Nous nous intéressons particulièrement à l'étude de l'influence des paramètres de la chimie en phase vapeur sur les propriétés mécaniques et optiques des membranes de SiC.

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Chocs laser dans les supraconducteurs à haute température critique (YBa2Cu3O7-x)
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L'utilisation des supraconducteurs à haute température critique requiert le développement de nouvelles techniques de mise en forme. Nous avons développé une nouvelle méthode de compaction dynamique de céramiques supraconductrices en utilisant les chocs induits par laser. Des pressions de l'ordre de 10 GPa sont obtenues par une technique de confinement du plasma. L'effet du choc sur les supraconducteurs de type YBa2Cu3O7-x est étudié au moyen de différents diagnostics incluant la métallographie, les mesures de susceptibilité magnétique, les mesures de courants critiques et la diffraction X. Les résultats expérimentaux préliminaires montrent un effet de densification sur une profondeur de l'ordre de …

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