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Développement de membranes de carbure de silicium pour les masques de la lithographie à rayons X
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Dans le cadre du développement de lithographie par rayons X, nous avons entrepris de développer, à l'INRS-Énergie des masques en vue de cette application. Étant donné ses propriétés mécaniques et optiques, le carbure de silicium est un très bon candidat comme matériau pour les membranes de masques à rayons X. Les couches minces de SiC sont obtenues en utilisant le procédé PECVD. Nous nous intéressons particulièrement à l'étude de l'influence des paramètres de la chimie en phase vapeur sur les propriétés mécaniques et optiques des membranes de SiC.

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Dispositifs Schottky et MIS faites à partir du Si-amorphe
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Nous avons préparé des dispositifs Schottky et MIS à partir du a-Si(H). Ces dispositifs sont étudiés à deux points de vue: ils sont d'intérêt comme piles photovoltaïques, et leurs caractéristiques nous éclaircissent sur les propriétés du matériau de base. Des améliorations de ce matériau, des hausses de barrière, et des contacts chimiques nous ont permis d'atteindre des rendements de l'ordre de 3%, qui peuvent être dépassés avec des contacts transparents et des couches antireflets. Des études du comportement des diodes, de leur conductance et de leur capacité, dans le noir et sous illumination, en fonction de la température, de la …

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