Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
Colloque
Dans le cadre du développement de lithographie par rayons X, nous avons entrepris de développer, à l'INRS-Énergie des masques en vue de cette application. Étant donné ses propriétés mécaniques et optiques, le carbure de silicium est un très bon candidat comme matériau pour les membranes de masques à rayons X. Les couches minces de SiC sont obtenues en utilisant le procédé PECVD. Nous nous intéressons particulièrement à l'étude de l'influence des paramètres de la chimie en phase vapeur sur les propriétés mécaniques et optiques des membranes de SiC.
