Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
L'observation de l'interface GaAs-Ge en microscopie électronique haute résolution a montré que la germination du film se faisait couche par couche, selon le mode Volmer-Weber. L'absence, dans le film, de fautes d'empilement qui surviendraient accidentellement sur les facettes {111} des germes, dans le cas du mode de germination 3D, confirme cette hypothèse. Toutes les dislocations de désaccord paramétrique sont dissociées. La 90° est en tête puisque le film de GaAs est en tension sur son substrat. Les parois d'antiphase résiduelles indiquent que le temps et la température du traitement thermique, qui sert à éliminer les parois d'antiphase par une reconstruction …
Colloque
L'épitaxie de films minces de GaAs par transport réactif à courte distance a pu être réalisée sur des substrats de GaAs(100) et de Ge(100). La qualité de l'épitaxie dépend essentiellement de l'espacement entre la source et le substrat; les meilleurs résultats ont été obtenus pour un espacement de 2 mm dans le cas de GaAs/Ge(100) et pour un espacement de 0.3 mm dans le cas de GaAs/GaAs(100). Des coupes de phases ont montré beaucoup de dislocations sur des films de GaAs contenant beaucoup de précipités sous forme de défauts d'amplification que ceux déposés sur des substrats de Ge. Des parois …
Colloque
Dans le domaine des semiconducteurs appliqués à la production d'énergie, les cellules photovoltaïques utilisant des composés de Cu-Se et de CuInSe2 suscitent, dans le moment, beaucoup d'intérêts. À l'aide d'une technique de déposition en tension pulsée, il est possible de produire des films sur de grandes surfaces avec une meilleure uniformité et une plus grande pureté qu'avec les techniques usuelles telles l'évaporation sous vide, la pulvérisation et la déposition chimique en phase gazeuse (CVD). Nous avons préparé des films de CuSe, de Cu2Se, de Cu2-xSe et de CuInSe2 ainsi que des films de CuInxSe2. Ces films ont été électrodéposés uniformément …
Colloque
Le TiC est un candidat pour revêtir des composantes qui touchent au plasma d’un Tokamak. Alors que par CVD son épaisseur peut atteindre 10 µm, par projection par plasma elle peut atteindre des mm. La limite vient de sa résistance aux chocs thermiques. La stœchiométrie et la microstructure des revêtements ont été analysées. Des coupons de diverses épaisseurs ont été soumis à des chocs thermiques à l’aide d’un canon à électrons. Les résultats montrent que le revêtement de 200 microns hémisphériques qui ont servis à faire des essais dans le Tokamak. Les revêtements soumis à une densité 0,7 sec environ …
