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Étude par MET des changements de phase dans des films de Cu-Se et de CuInSe2
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Dans le domaine des semiconducteurs appliqués à la production d'énergie, les cellules photovoltaïques utilisant des composés de Cu-Se et de CuInSe2 suscitent, dans le moment, beaucoup d'intérêts. À l'aide d'une technique de déposition en tension pulsée, il est possible de produire des films sur de grandes surfaces avec une meilleure uniformité et une plus grande pureté qu'avec les techniques usuelles telles l'évaporation sous vide, la pulvérisation et la déposition chimique en phase gazeuse (CVD). Nous avons préparé des films de CuSe, de Cu2Se, de Cu2-xSe et de CuInSe2 ainsi que des films de CuInxSe2. Ces films ont été électrodéposés uniformément …

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Étude par MET des changements de phase dans des films de Cu-Se et de CuInSe2
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Dans le domaine des semiconducteurs appliqués à la production d'énergie, les cellules photovoltaïques utilisant des composés de Cu-Se et de CuInSe2 suscitent, dans le moment, beaucoup d'intérêts. À l'aide d'une technique de déposition en tension pulsée, il est possible de produire des films sur de grandes surfaces avec une meilleure uniformité et une plus grande pureté qu'avec les techniques usuelles telles l'évaporation sous vide, la pulvérisation et la déposition chimique en phase gazeuse (CVD). Nous avons préparé des films de CuSe, de Cu2Se, de Cu2-xSe et de CuInSe2 ainsi que des films de CuInxSe2. Ces films ont été électrodéposés uniformément …

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Étude par MET des changements de phase dans des films de Cu-Se et de CuInSe2
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Dans le domaine des semiconducteurs appliqués à la production d'énergie, les cellules photovoltaïques utilisant des composés de Cu-Se et de CuInSe2 suscitent, dans le moment, beaucoup d'intérêts. À l'aide d'une technique de déposition en tension pulsée, il est possible de produire des films sur de grandes surfaces avec une meilleure uniformité et une plus grande pureté qu'avec les techniques usuelles telles l'évaporation sous vide, la pulvérisation et la déposition chimique en phase gazeuse (CVD). Nous avons préparé des films de CuSe, de Cu2Se, de Cu2-xSe et de CuInSe2 ainsi que des films de CuInxSe2. Ces films ont été électrodéposés uniformément …

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Comportement sous chocs thermiques de revêtements de TiC projeté par torche à plasma
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Le TiC est un candidat pour revêtir des composantes qui touchent au plasma d’un Tokamak. Alors que par CVD son épaisseur peut atteindre 10 µm, par projection par plasma elle peut atteindre des mm. La limite vient de sa résistance aux chocs thermiques. La stœchiométrie et la microstructure des revêtements ont été analysées. Des coupons de diverses épaisseurs ont été soumis à des chocs thermiques à l’aide d’un canon à électrons. Les résultats montrent que le revêtement de 200 microns hémisphériques qui ont servis à faire des essais dans le Tokamak. Les revêtements soumis à une densité 0,7 sec environ …

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Mesures de gonflement sur du niobium irradié par des ions d'He++
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Pour simuler une partie des dommages qui seront causés aux parois internes d'un réacteur à fusion, nous avons bombardé du niobium avec des ions d'He++ à 5 keV et à des fluences variant entre 2 x 10^17 et 8 x 10^18 ions/cm^2. Il en résulte la formation de cloques. Des mesures montrent que l'épaisseur des calottes de ces cloques est plus grande que la profondeur d'implantation calculée. Pour expliquer ce comportement nous avons mesuré par interférométrie, le déplacement de la surface irradiée. Jusqu'à la dose d'apparition des cloques, ce déplacement augmente avec la dose, mais ne dépend pas de l'énergie. …

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Mesures de gonflement sur du niobium irradié par des ions d'He++
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Pour simuler une partie des dommages qui seront causés aux parois internes d'un réacteur à fusion, nous avons bombardé du niobium avec des ions d'He++ à 5 keV et à des fluences variant entre 2 x 10^17 et 8 x 10^18 ions/cm^2. Il en résulte la formation de cloques. Des mesures montrent que l'épaisseur des calottes de ces cloques est plus grande que la profondeur d'implantation calculée. Pour expliquer ce comportement nous avons mesuré par interférométrie, le déplacement de la surface irradiée. Jusqu'à la dose d'apparition des cloques, ce déplacement augmente avec la dose, mais ne dépend pas de l'énergie. …

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Mesures de gonflement sur du niobium irradié par des ions d'He++
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Pour simuler une partie des dommages qui seront causés aux parois internes d'un réacteur à fusion, nous avons bombardé du niobium avec des ions d'He++ à 5 keV et à des fluences variant entre 2 x 10^17 et 8 x 10^18 ions/cm^2. Il en résulte la formation de cloques. Des mesures montrent que l'épaisseur des calottes de ces cloques est plus grande que la profondeur d'implantation calculée. Pour expliquer ce comportement nous avons mesuré par interférométrie, le déplacement de la surface irradiée. Jusqu'à la dose d'apparition des cloques, ce déplacement augmente avec la dose, mais ne dépend pas de l'énergie. …

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Effets de la dose et de la température sur les dommages causés à l'enceinte d'un réacteur à fusion par des ions d'He
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Nous avons bombardé des cibles de niobium polycristallin écroui à froid avec des ions d'hélium de 10 keV, à des doses variant de 0,1 à 10,0 coulomb/cm². Pour simuler les dommages causés au premier mur d'un réacteur à fusion, nous avons chauffé les cibles jusqu'à 700°C. L'augmentation de l'épaisseur des bourrelets boursouflures augmente avec la dose jusqu'à une surface lisse, à partir de laquelle les bourrelets se forment, et avec la surface est érodée en un microrelief de larges vallées. Cette dose critique doit croître en élevant la température. Pour un déterminant moyen des bourrelets souffres décroît en élevant la …

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Effets de la dose et de la température sur les dommages causés à l'enceinte d'un réacteur à fusion par des ions d'He
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Nous avons bombardé des cibles de niobium polycristallin écroui à froid avec des ions d'hélium de 10 keV, à des doses variant de 0,1 à 10,0 coulomb/cm². Pour simuler les dommages causés au premier mur d'un réacteur à fusion, nous avons chauffé les cibles jusqu'à 700°C. L'augmentation de l'épaisseur des bourrelets boursouflures augmente avec la dose jusqu'à une surface lisse, à partir de laquelle les bourrelets se forment, et avec la surface est érodée en un microrelief de larges vallées. Cette dose critique doit croître en élevant la température. Pour un déterminant moyen des bourrelets souffres décroît en élevant la …

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Effets de la dose et de la température sur les dommages causés à l'enceinte d'un réacteur à fusion par des ions d'He
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Nous avons bombardé des cibles de niobium polycristallin écroui à froid avec des ions d'hélium de 10 keV, à des doses variant de 0,1 à 10,0 coulomb/cm². Pour simuler les dommages causés au premier mur d'un réacteur à fusion, nous avons chauffé les cibles jusqu'à 700°C. L'augmentation de l'épaisseur des bourrelets boursouflures augmente avec la dose jusqu'à une surface lisse, à partir de laquelle les bourrelets se forment, et avec la surface est érodée en un microrelief de larges vallées. Cette dose critique doit croître en élevant la température. Pour un déterminant moyen des bourrelets souffres décroît en élevant la …

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