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Colloque
À cause de la différence entre les paramètres de maille du InAs et du InP, il n'est pas possible de faire croître des puits quantiques d'InAs de plus de quelques monocouches d'épaisseur dans une matrice d'InP. Néanmoins, l'efficacité radiative de ces puits ultraminces s'avère exceptionnellement élevée, ce qui en fait de bons candidats pour des dispositifs optoélectroniques. Les fluctuations d'épaisseur des puits ont toutefois des conséquences majeures dans ce système. Le spectre de photoluminescence d'une seule couche d'InAs peut ainsi révéler l'émission d'excitons situés dans des puits quantiques d'épaisseur différente de même qu'une émission correspondant à des excitons fortement localisés …
Colloque
Nous avons synthétisé des monocristaux de GaTe, qui cristallisent dans une structure monoclinique, par une technique de transport et effectué des mesures de photoluminescence à basse température en utilisant un laser continu et des mesures de transmission en utilisant un spectromètre à transformée de Fourier. Les spectres d'émission sont dominés par deux pics étroits situés aux énergies X1=1,7799 eV et X2=1,7784 eV. Le pic X1 est polarisé perpendiculairement à l'axe b du GaTe tandis que le pic X2 est polarisé parallèlement le long de l'axe b. Nous attribuons ces deux pics aux états singulet et triplet de l'exciton libre (n=1). …
Colloque
Le GaTe est un matériau lamellaire dont les propriétés optiques sont mal connues. Il cristallise dans une structure monoclinique (groupe d'espace C2^3) et sa cellule unitaire comporte 12 molécules. Nous avons synthétisé des monocristaux de GaTe par une technique de transport et effectué des mesures de photoluminescence à basse température en utilisant la raie à 514.5 nm d'un laser Ar continu. À basse puissance excitatrice (P_max < 1 W cm^-2), les spectres sont dominés par deux pics étroits situés aux énergies X_1= 1,7799 eV et X_2= 1,7784 eV. La largeur à mi-hauteur de ces pics est inférieure à 0,3 meV, …
Colloque
On s’attachera à décrire la dynamique de la commutation optique dans des bistables basés sur un changement de l’indice de réfraction dans un matériau Fabry-Pérot. Un modèle théorique qui tient compte de l’évolution temporelle des non-linéarités sera introduit. L’intérêt de ce modèle tient à ce qu’il permet de prédire les comportements critiques aux paramètres physiques du système étudié. Le cas d’un bistable optique à base de GaSe servira d’exemple.
Colloque
Nous avons mis au point un montage permettant d'étudier les variations dans le temps de l'absorption et de la luminescence induites dans des semi-conducteurs ou des isolants par des photons d'énergie allant jusqu'à 6,4 eV. Nous sommes à même d'obtenir une résolution de l'ordre de la nanoseconde. En particulier, nous avons procédé à l'étude d'échantillons de mica naturel à faible teneur en fer (K2(Mg2+ Fe2+)(Al2-Si6O20(OH, F))4), un matériau lamellaire isolant. On peut y observer une large bande de luminescence s'étendant entre 2,0 et 3,5 eV et attribuée à la relaxation de petits polarons provenant des atomes de fer substitués. Le …
