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Croissance et caractérisation de boîtes quantiques InAs/InGaAs pour des applications photovoltaïques

JZ

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Jihene Zribi

Résumé de la communication

L’intégration de boîtes quantiques (BQs) d’InAs dans la cellule intermédiaire d'une structure multi-jonctions InGaP/InGaAs/Ge a déjà permis d'améliorer l'efficacité de conversion lumière-électricité. Mes travaux de thèse portent sur la croissance de telles structures cellules solaires et visent à optimiser ses caractéristiques via un meilleur contrôle des conditions de croissance et une compréhension fine des mécanismes physiques qui affectent la dynamique des photoporteurs générés dans les BQs. Dans cet exposé, je décrirai l'intérêt d'utiliser des boîtes quantiques pour des applications photovoltaïques et donnerai quelques défis liés à leur intégration dans une structure cellule solaire. Je mentionnerai l'intérêt d'utiliser la technique d'épitaxie par jets chimiques pour la réalisation de telles cellules. Je présenterai ensuite des résultats de caractérisation des propriétés structurales et optiques de BQs crues par CBE. Ces résultats comprennent des mesures in-situ de diffraction d'électrons de haute énergie incidents à angle rasant (RHEED), des mesures ex-situ de microscopie à force atomique (AFM) et de diffraction des rayons-X, ainsi que des mesures de photoluminescence. Finalement, une étude de l'influence du nombre de plan de BQs sur les propriétés optiques de celles-ci et sur les caractéristiques de la structure cellule solaire sera présentée.''Texte italique''

Contexte

section icon Date : 12 mai 2011
host icon Hôte : Université de Sherbrooke, Université Bishop’s

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