Communication

Modélisation de la croissance de couches minces de silice par précurseurs O-Si-O

Alexis Lefevre

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Alexis Lefevre

Résumé de la communication

Dans un plasma, les électrons suffisement énergétiques activent des réactions chimiques et transforment le réacteur en une petite usine. Les molécules ayant réagi forment un dépôt, qui, dans des conditions adéquates, peut trouver de nombreuses applications dans des domaines aussi variés que la microélectronique ou l'emballage alimentaire. Les contraintes industrielles ont conduit à des dépôts fonctionnels de plus en plus fins, au point qu'il n'est parfois plus possible de les traiter comme des milieux continus. L'utilisation de méthodes de caractérisation rendant compte de la structure atomique des dépôts reste une entreprise très coûteuse et dont les résultats doivent être raffinés par d'autres analyses. Aussi, en complément des données expérimentales, le recours à des modèles numériques permet d'accéder à des informations à l'échelle de l'atome, tout en permettant l'étude de la sensibilité du processus vis-à-vis de paramètres bien choisis. À cet effet, une méthode de simulation par dynamique moléculaire classique à été utilisée pour modéliser la croissance de silice à partir de précurseurs 'O-Si-O' sur des substrats de silice amorphe et de quartz. Une des hypothèses essentielles du modèle est que les propriétés structurales des films obtenus dépendent principalement des caractéristiques à l'équilibre des liens Si-O et des angles de liaisons entre Si-O-Si et O-Si-O. Les résultats concernant la structure atomique du dépôt (interface, volume et surface) ainsi que la sensibilité du processus à l'énergie des particules déposées (1-30eV) seront présentés et discutés.

Contexte

Section :

Physique

Domaine de la communication :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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