John L. Brebner

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Auteur·trice :

66e Congrès de l'Acfas : Différence dans le comportement des défauts à déficience en oxygène dans la silice dopée au germanium sous l'irradiation aux lasers excimères ArF et KrF

66e Congrès de l'Acfas : Implantation des protons dans le cœur d'une fibre standard monomode : Effet sur la photosensibilité à la lumière UV

65e Congrès de l'Acfas : Changement de l'indice de réfraction de la silice dopée au germanium suite à l'implantation ionique à haute énergie et à l'illumination UV

64e Congrès de l'Acfas : Photosensibilité de Ge : SiO2 implanté à haute énergie

64e Congrès de l'Acfas : Étude par spectroscopie d'annihilation de positrons du dommage créé par implantation ionique dans du SiO2

64e Congrès de l'Acfas : La photosensibilité induite par implantation ionique dans la silice et la silice dopée au Ge

62e Congrès de l'Acfas : Guide d'ondes optiques par implantation d'ions lourds dans la silice

60e Congrès de l'Acfas : Étude de la structure moléculaire du TiN et TiOx par spectroscopie électronique

60e Congrès de l'Acfas : Étude de photoconductivité et de photoconductivité persistante sur des couches épitaxiales GaInP/InP:Fe fabriquées par OMCVD

55e Congrès de l'Acfas : Étude de l'effet photo-induit dans les verres de chalcogénures

54e Congrès de l'Acfas : Absorption des états localisés du gap du silicium amorphe hydrogéné à partir du spectre de photoconductivité

52e Congrès de l'Acfas : Luminescence inter-bandes du titanate de strontium

52e Congrès de l'Acfas : Mobilité de dérive des électrons dans le silicium amorphe hydrogéné

Communications de John L. Brebner

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