Oussama Moutanabbir

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72e Congrès de l'Acfas : Modification de surface du silicium monocristallin par faisceau de protons : application à la fabrication des substrats SOI ultra minces

72e Congrès de l'Acfas : Élaboration de substrats SOI à l'aide d'ions hydrogène et deutérium de faible énergie (5 keV)

72e Congrès de l'Acfas : Extrapolation de la technologie SOI sous les 100 nanomètres : procédé Smart-Cut® à basse énergie

71e Congrès de l'Acfas : Étude de la formation des cloques dans le silicium par implantation ionique à basse énergie : vers des substrats SOI ultra minces

71e Congrès de l'Acfas : Un scalpel ionique pour le silicium d'une précision inférieure à 100 nm

Communications de Oussama Moutanabbir

Modification de surface du silicium monocristallin par faisceau de protons : application à la fabrication des substrats SOI ultra minces
Oussama Moutanabbir
Congrès 2004
Science et ingénierie des plasmas
Élaboration de substrats SOI à l'aide d'ions hydrogène et deutérium de faible énergie (5 keV)
Nicholas Desrosiers
Congrès 2004
Science et ingénierie des plasmas
Étude de la formation des cloques dans le silicium par implantation ionique à basse énergie : vers des substrats SOI ultra minces
Oussama Moutanabbir
Congrès 2003
Science et ingénierie des plasmas
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